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DC-DC升压芯片、内置升压功放IC损坏常被忽视的地方
文章来源:新萄京康科技 更新时间:2020/6/15 11:32:00
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升压芯片或者内置升压的功放烧片烧片的常见原因有两个:一是开关管的过冲超过了工艺的极限参数,这个之前的文章介绍过很多次,这里不再详述。另外一个是今天聊的重点,也是大家非常容易忽视的地方—电解电容。

Boost升压,环路必须要稳定,稳定性是由电感、输出电容、补偿线路决定的。如果输出电容选择不恰当,或者输出电容质量问题,会引起环路震荡,LX震荡、PVOUT震荡,最终导致芯片损坏。

小编遇到一个1%芯片损坏问题,更换芯片后,发现升压线路出现震荡,PVOUT和LX起伏震荡较大,随时会超出工艺极限,导致损坏。



确定这种震荡是外围器件引起的,更换电感后没有明显改善。


加大陶瓷电容有改善,PVOUT上的陶瓷电容从22uF改为44uF后不再震荡。

但是需要两颗X7R的22uF,成本略高,另外理论上,PVOUT上已经有470uF电解电容,容量足够大,不应该导致该问题。


所以把重点放到电解电容,陶瓷电容保持与原来不变,更换电解电容后,不再震荡。



那么电解电容怎么会导致震荡呢?


下面把这个电解电容进行测试。把470uF电解电容和1K电阻串联,加入50%占空比方波做交流源。

一个RC的时间是465ms,所以容量是对的。但是重点来了,电容充电的起始点发现异常,不是从0开始,而是有一个固定的电压。这个极有可能是电解电容已经损坏,或者内部寄生阻抗太大,甚至达到了100欧的级别,导致环路出现了不稳定,震荡。


正常电解电容充放电过程应该是下图:

总结:电解电容简单、常用,所以我们也常:鍪拥缃獾缛莸钠分使芾,但这对于升压的影响却是很大的。

 
 
 
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